- 集成芯片成半导体竞争核心 中国多环节突破追赶
- 2025年10月20日来源:中国家电网
提要:集成芯片通过芯粒异构集成与先进封装,实现性能、功耗与成本优化,缓解 "内存墙" 等瓶颈,其重要性正超越制造环节。在设计端,华大九天推出 Empyrean Storm 平台,支持 HBM 等协议多芯片自动布线;芯和半导体仿真工具可实现系统级信号与电磁分析,打破国际 EDA 厂商垄断。
随着摩尔定律逼近物理极限,以 3D/2.5D IC 为核心的芯片集成技术正重塑半导体产业格局。据 Future Market Insights 报告,2025 至 2035 年该市场将以 9.0% 年复合增长率扩张,从 583 亿美元增至 1380 亿美元,中国以 12.2% 增速领跑全球。
集成芯片通过芯粒异构集成与先进封装,实现性能、功耗与成本优化,缓解 "内存墙" 等瓶颈,其重要性正超越制造环节。在设计端,华大九天推出 Empyrean Storm 平台,支持 HBM 等协议多芯片自动布线;芯和半导体仿真工具可实现系统级信号与电磁分析,打破国际 EDA 厂商垄断。
设备领域,混合键合技术成竞争焦点。荷兰 BESI、ASMPT 占据先发优势,而中国厂商加速突围:拓荆科技已实现国产键合设备装机量第一,推出多系列键合及量测设备并获重复订单;迈为股份全自动晶圆级混合键合设备已交付客户。
存算一体作为重要应用方向,国内企业成果显著。后摩智能 "漫界 M50" 芯片支持千亿参数模型运行,知存计算量产 NOR Flash 存算一体芯片。国际上,台积电、三星等争相布局 3D IC 组件,SK 海力士、三星则将混合键合用于 HBM 研发。
从 EDA 到设备再到应用,中国在集成芯片产业链关键环节多点突破,正这场决定产业未来的竞赛中奋力追赶。
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