进入2026年，全球内存市场的涨价潮仍未停歇，甚至涨幅超出年初多家机构的预期。最新行业数据显示，二季度通用DRAM合约价环比上涨幅度达到58%-63%，延续了一季度接近翻倍的暴涨走势，部分消费级现货规格年内涨幅已经突破200%，AI需求爆发叠加供给端结构性收缩，正在推着内存价格持续“狂飙”。

涨价幅度超出预期，全品类价格集体走高

今年年初，行业机构对一季度DRAM合约价的涨幅预测为55%-60%，但最终实际涨幅达到90%-95%，远高于最初预期；进入二季度，涨价趋势并未放缓，集邦咨询最新预测显示，二季度常规DRAM合约价将再涨58%-63%，NAND闪存合约价涨幅达到70%-75%，涨幅甚至超过一季度。

不同品类中，AI服务器拉动的高容量DDR5涨幅最为突出，服务器DRAM环比涨幅已经达到65%-70%；消费级市场中，成熟规格的低容量DDR4产品反而涨幅更高，4Gb及以下规格单月涨幅已经超过20%，主要原因是头部厂商逐步淘汰成熟产能，供给收缩的幅度超出市场需求变化。国内现货市场的波动比合约市场更为剧烈，截至5月，主流16GB DDR5内存较2025年底涨幅已经达到200%-300%，国产存储芯片品牌同步跟涨，尽管涨幅比海外品牌低5%-10%，但交付周期已经从原来的4周延长至12周，供不应求的态势十分明显。

AI需求+产能转移，双轮驱动价格暴涨

此轮内存涨价的核心动力，来自AI产业爆发带来的需求激增，以及头部厂商主动调整产能结构带来的供给收缩。

需求端来看，单台AI服务器的DRAM用量是传统服务器的6-8倍，NAND用量更是达到3倍，北美头部云厂商正在加速AI推理基础设施建设，批量采购高容量RDIMM内存，全球超过70%的高端存储产能已经被数据中心通过长期协议锁定，留给消费级市场的产能被大幅挤压。国内AI厂商的抢单行为进一步加剧了供给紧张，即使产能向AI倾斜，AI专用内存HBM仍处于一货难求的状态。

供给端来看，三星、SK海力士、美光等头部厂商将80%-90%的先进产能转向AI专用的HBM内存，通用存储产能被系统性压缩，三大原厂的整体库存已经降至4周，远低于8-12周的行业安全线，创最近十年历史新低。供给刚性收缩之下，哪怕需求没有大幅增长，价格也会因为供需缺口持续推高。

此外，国内存储产业国产替代加速，国内模组厂商为规避海外厂商涨价风险，加大了对长鑫存储、长江存储等国产芯片的采购力度，反而进一步推高了国产芯片的价格，形成了需求端的额外增量。

涨价趋势或延续至2027年，下游市场承受较大压力

对于后市走势，多数机构预测，当前的供需失衡格局难以在短时间内扭转，内存价格上涨的趋势至少会延续到2027年一季度，2026年全年DRAM均价涨幅或将达到88%，NAND闪存均价涨幅达到74%， meaningful的产能扩张最早要到2027年底才能落地。

价格持续暴涨已经对下游消费电子市场带来明显冲击，组装市场需求出现明显下滑，内存涨价之后，普通消费者装机成本大幅提升，非刚需用户纷纷推迟装机计划，线下组装门店的成交量出现明显下滑，部分中小商家因为没赶上囤货周期，只能承受进价上涨却不敢向下游传导，利润被大幅压缩。

有行业观点认为，当前内存市场的超级周期和过往加密货币带动的周期不同，本次需求增长来自AI产业的真实拉动，规模和持续性都远超以往，供需再平衡需要更长时间。但也有市场人士提醒，头部厂商刻意控制产能维持高价的行为，会持续挤压下游产业利润，长期来看反而会影响整个存储产业的健康发展，推动行业技术迭代的节奏放缓。