近日，华为首席执行官任正非在接受《人民日报》采访时，就大众关心的芯片等热点话题，与记者进行了面对面交流。其中，他对华为芯片技术现状及中国芯片产业发展的观点，引发广泛关注。

当被问及昇腾芯片被 “警告” 使用风险对华为的影响时，任正非表示，美国夸大了华为的成绩，华为还未达到美方评价的高度。目前华为单芯片仍落后美国一代，但通过 “数学补物理、非摩尔补摩尔，用群计算补单芯片” 的方式，在结果上能够达到实用状况。

从产业链角度看，在半导体全产业链，中国仍需多年攻关。华为轮值董事长徐直军也曾指出，受美国制裁影响，中国半导体制造工艺在相当长时间处于落后状态。此次任正非提及的 “落后一代”，应是对芯片设计、制造、封装的综合评价。若美国主流先进制程芯片为 3 纳米，华为在完全自研层面，相当于具备 5 纳米的实力。

虽然单芯片技术面临挑战，但这并不意味着无法解决高性能和智能算力问题。任正非提出的 “数学补物理”，即通过算法、软件及软硬件结合的工程创新，用次先进芯片实现系统级优化。例如，DeepSeek 的成果以及华为用自身集群和节点训练出的盘古推理模型，都是有力证明。“非摩尔补摩尔” 指芯片系统性能改善已超越追求单位面积晶体管数量，通过新的封装、架构等创新取代摩尔定律。而 “用群计算补单芯片”，像华为昇腾的 CloudMatrix 384，性能已相当于单芯片领先的英伟达 GB200 NVL72 节点。

谈及中国芯片产业，任正非认为，中国在中低端芯片市场存在机会，众多芯片公司发展良好。2024 年集成电路出口金额达 1595 亿美元，成为出口额最高的单一商品，成熟制程芯片企业也积极出海。此外，化合物半导体(第三代半导体)在多领域应用前景广阔，万亿级市场正在形成。

与此同时，正值中美经贸磋商机制首次会议在伦敦举行，贸易谈判中，中美在解除稀土与半导体出口管制方面的灵活性备受关注。而此前英伟达 CEO 黄仁勋对中国 AI 和芯片技术的评价，也从侧面反映出中国创新的不可阻挡。

任正非对芯片问题的阐述，站在中国芯片产业全局高度，既坦诚面对现状，又展现出解决问题的思路与信心。未来，中国芯片产业在众多企业努力下，有望在全球竞争中取得更大突破 。